Sep 02, 2009

サッカーユニフォームに憧れる長男です

来年から長男が小学校に入学します。今現在は特に習い事はしていません。小学校に入ると、サッカーを学びたいとしています。どうやらサッカーのユニフォームに憧れているのです。どこまでかは分からないが、子供の意欲を応援してくれと思っています。サッカーユニフォーム、買ってあげる努力しています。
水泳をするために通っていたスポーツクラブ、フィットネスクラブに広くなって、様々な講座を受講するようにしています。水泳をする前に、ヨガ教室に通って体を柔軟にし、プールに入ることになってからは、プールの中では体が軽くなり、大変状態が良くなりました。スポーツクラブで何か一緒にする楽しさも追加されました。
ネイチャー・ジャパン株式会社は8月17日、同社Webサイト「natureasia.com」が不正にアクセスされ、ユーザの個人情報が流出したと発表した。流出した個人情報は、一部登録者の氏名、メールアドレス、暗号化されたパスワードおよび一部定期購読者のクレジットカード情報。同社では、被害を受けた定期購読者と登録者にはすでに連絡しており、警察署にも報告しているという。

また、調査会社とともにWebセキュリティの強化を図っており、その結果Web上での電子取引と登録業務を一時的に停止すると同時にセキュリティ強化の対策を講じている。登録ができない期間中は、ログインしなくてもサイトを使用できるようフリーアクセスにしている。安全な新しいセキュリティフレームワークによる登録および電子取引システムを数週間以内に再開する予定としている。
(吉澤亨史)

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 米国Appleの次期「iPad」(いわゆる“iPad 3”)では、同社の新しいクアッドコアの「A6」プロセッサの搭載により、さらなる高速化と省電力化が実現されるだろう。だが、この新型タブレットの出荷準備が整うのは、2012年6月以降になりそうだ――業界アナリストが8月22日にこのような見通しを示した。

 「iPad 2」に搭載されているデュアルコアの「A5」プロセッサの後継が、A6プロセッサになると、米国の半導体専門の調査会社であるThe Linley Groupの創設者で主席アナリストのリンリー・グウェナップ(Linley Gwennap)氏は述べた。

 同氏は複数の事情筋からの情報として、A6プロセッサは半導体ファウンドリ(製造受託会社)の台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)が製造するだろうと語った。Appleが設計したA5プロセッサは韓国Samsung Electronicsが製造しているが、現在、Appleは同社と訴訟で争っている。

 A6プロセッサの製造スケジュールは、製造開始が来年第2四半期以降になることを示唆しており、これは、次期iPad(iPad 3)が来年6月まで登場しないかもしれないということだと、グウェナップ氏は語った。

 また、米国Wall Street Journal紙は先週、匿名の事情筋の発言として、AppleがiPad 3を来年初めに発売したいと考えていると報じている。

 A6プロセッサの搭載により、iPad 3はさらに性能が向上するとともに、バッテリ駆動時間が延びる見込みだ。こうしたメリットの多くは、TSMCの28nm(ナノメートル)製造プロセスによってもたらされると、グウェナップ氏は説明する。40nmプロセスで製造されているA5プロセッサと比べて回路線幅が狭くなることで、A6プロセッサはより小さく、高速になるという。

 「タブレット・ユーザーは、同じバッテリ駆動時間でより高い性能が得られることを期待できる」(グウェナップ氏)

 スマートフォンは、すでにデュアルコア・プロセッサ搭載機が発売されており、一部のアナリストは、今秋に登場すると見られている「iPhone 5」はデュアルコアのA5プロセッサを搭載するものと予想している。

 A6プロセッサは、米国Texas Instruments(TI)、米国NVIDIA、米国Qualcommのクアッドコア・モバイル・プロセッサと真っ向から対抗することになる。NVIDIAは、同社のクアッドコアTegraプロセッサ「Kal-El」(開発コード名)を搭載するデバイスが、年末までに登場するとしている。

 A6プロセッサは、A5プロセッサと同じく英国ARMのプロセッサ・コア「Cortex-A9」がベースになる見通しだ。ARMは次世代コア「Cortex-A15」をすでに発表しているが、その設計に基づく最初のデバイスが出荷されるのは、2012年末か2013年初め以降になるだろうと、グウェナップ氏は述べている。

(Agam Shah/IDG News Serviceニューヨーク支局)

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ルネサス エレクトロニクスは8月23日、無線LANシステムや衛星ラジオなどの低雑音増幅器用トランジスタとして、新たに開発したシリコン・ゲルマニウム:カーボン(SiGe:C)採用プロセスを用いた低雑音SiGe:Cヘテロ型バイポーラトランジスタ(SiGe:C HBT)「NESG7030M04」を開発、即日サンプル出荷を開始したことを発表した。サンプル価格は35円/個で、2011年11月から月産100万個の量産を開始し、既存のSiGe HBTとあわせて月産5000万個まで拡大する計画。

同製品は、低雑音化のニーズや衛星放送で使用する12GHz超でのソリューション提供に対応するに開発されたもので、5.8GHz帯のSiGe:C HBTおよびSiGe HBTでは、従来のSiGe HBT製品比で雑音指数を0.35dB向上させた0.75dBを実現している。また、NF最小時利得は14.0dBを実現しており、これにより通信感度を高め、信号伝達のエラーを低減できるため、従来品と同等の雑音指数、利得性能を約1/4の消費電力で実現することが可能となった。

さらに、従来のシリコン系HBTでは、低雑音化と引き換えにコレクタ-エミッタ間の耐圧低下が避けられず、低耐圧となるため、使用アプリケーションが制限されていたが、同製品ではコレクタ-ベースプロファイルの最適化を行うことで、耐圧定格4.3Vの保証を可能にしている。これにより使用できる電源電圧の範囲が広がったため、数十MHzから14GHz帯までの広い帯域で安定使用が可能となり、より幅広いアプリケーション、例えばISMバンドでの用途などにも対応することが可能となった。

なお、同製品は同社がマイクロ波用途トランジスタ向けに開発した4ピン薄型小型ミニモールドパッケージ(M04パッケージ)に搭載されているため、従来の使用実績による実装評価の簡略化や、現行基板パターンでも最小限の回路調整で置換えることができるようになっている。

[マイコミジャーナル]

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